聯(lián)系我們
聯(lián)系人：王先生 郭先生 李小姐
服務專線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.chemseals.com.cn 查看相關的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網(wǎng)站m.chemseals.com.cn 查看相關的產(chǎn)品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務
文章詳情
IGBT模塊的相關知識介紹
日期：2025-04-07 11:15
瀏覽次數(shù)：3218
摘要：
IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。
GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
例一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。
N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。
而在漏區(qū)另一側的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。
反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。
IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術力量雄厚的高素質的開發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質產(chǎn)品、完整的解決方案和上等的技術服務公司。主要產(chǎn)品有IXYS可控硅、西門康IGBT、BUSSMANN熔斷器等。本企業(yè)堅持以誠信立業(yè)、以品質守業(yè)、以進取興業(yè)的宗旨，以更堅定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動化行業(yè)作出貢獻，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產(chǎn)品。我們將竭誠為您服務！
